■ 控制生长条件实现优异的二维电子气
■ 利用特有的缓冲层生长技术实现高击穿电压和极低漏电流
■ 原位氮化硅沉积提供了优良的动态性能,提高器件可靠性
■ 控制生长条件实现的高均匀性和重复性
■ 技术成熟度高
■ 栅压安全区间大
■ 类MOS,应用简单
■ 易实现市场化
■ 与硅驱动方案兼容
■ 更高的电压,更好的导电能力
■ 更小的体积,更好的温度控制
■ 更高的效率,更低的能耗
■ 抗辐照等特殊应用
市场咨询:crmic_rxw_mkt_zy@runxin.crmicro.com
技术咨询:crmic_rxw_ts_zy@runxin.crmicro.com
人力资源咨询:zhutianqing@runxin.crmicro.com
润新微电子(大连)有限公司:
0411-39056676
市场销售部:刘经理
18823377708