■ 控制生长条件实现优异的二维电子气

■ 利用特有的缓冲层生长技术实现高击穿电压和极低漏电流

■ 原位氮化硅沉积提供了优良的动态性能，提高器件可靠性

■ 控制生长条件实现的高均匀性和重复性

■ 技术成熟度高

■ 栅压安全区间大

■ 类MOS，应用简单

■ 易实现市场化

■ 与硅驱动方案兼容

■ 更高的电压，更好的导电能力

■ 更小的体积，更好的温度控制

■ 更高的效率，更低的能耗

■ 抗辐照等特殊应用