润新微电子氮化镓功率器件的阈值电压可定制在4伏左右，与传统的高压超结MOS管的阈值电压一致，栅驱动抗干扰能力更强，避免器件在开关过程中因振铃引起的误导通而炸管。市面上的p-GaN增强型氮化镓器件阈值电压通常在1.2伏左右，需要负压驱动才能维持一定的抗干扰能力，除了增加系统的复杂程度外还额外增加了成本。

润新微电子氮化镓功率器件最大栅压为±20伏，与硅MOS管一致，保证了功率开关管在导通转态下电阻最小，且器件栅压有足够的裕量来应对开关过程中的电压过冲等不利因素，避免造成对器件的潜在损伤和失效。以10伏的栅驱动电压为例，栅压的安全工作区间距离上限20伏仍有10伏。而p-GaN增强型氮化镓器件所能承受的最大静态栅压通常只有6伏，超过此电压会造成器件损伤甚至失效；在实际应用中考虑到栅压过冲造成的影响，通常会在电路中增加二极管将栅压钳制在3伏，造成器件无法完全导通，从而影响整机效率。

润新微电子氮化镓功率器件没有pn结，不具备类似于硅器件的雪崩击穿能力，通常在额定电压上留足耐压裕量。润新微电子氮化镓功率器件在常温和高温下的抗击穿电压分别大于1500伏和1200伏，比同类型产品1000伏左右的耐压裕量大很多，意味着更高的安全工作区间。润新微电子氮化镓功率器件的批量HTRB验证结果达到5000小时无失效；通过1000伏以上的加速老化测试反推400伏下的器件寿命大于百万小时；在Boost硬开关电路中维持壳温150℃ HTOL运行寿命达一万小时无故障、且效率稳定。

润新微电子氮化镓功率器件的反向导通压降为2.2-2.6伏，而p-GaN增强型器件的反向导通压降等于栅驱动负压绝对值加阈值电压，通常在6-9伏之间。因此，润新微电子氮化镓功率器件在第三象限导通时的损耗为p-GaN增强型器件的1/3-1/5，优势非常明显。