2019年1月17日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）标准化委员会管理委员会第一届第三次会议在深圳基本半导体有限公司隆重召开。CASA标准化委员会管理委员会委员（CASAS）及标准起草小组成员30余家单位的50余人参加了本次会议。会议由CASA秘书长、CASAS常务副主任于坤山主持，大连芯冠科技有限公司作为第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长单位参加会议。
与会领导嘉宾纷纷就第三代半导体器件标准布局、汽车行业应用现状及前景、标准的前瞻创新性与市场的平衡等问题展开了热烈的讨论，与会领导嘉宾表示将在今后的工作中积极参与贡献力量。
下午，会议讨论环节还就东莞中镓半导体科技有限公司牵头起草的《宽禁带半导体术语》，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所牵头起草的《GaN HEMT 电力电子器件通用技术标准》、中国科学院微电子研究所牵头起草的《SiC MOSFET场效应晶体管测试方法》、中国科学院微电子研究所牵头起草的《电动汽车用SiC MOSFET功率模块评测规范》等四项标准提案进行了讨论，起草组将结合讨论内容，加强沟通，推动后续标准的制定顺利展开。
