润新微电子(大连)有限公司

润新微电子(大连)有限公司是华润微电子旗下专注第三代半导体材料和电子元器件技术开发及产品应用的半导体高新技术企业。前身大连芯冠科技有限公司，由海外归国团队2016年3月17日创立于大连高新区。
公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式，主要从事硅基氮化镓外延材料及电子元器件的研发、设计、生产和销售。

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PRODUCTS

氮化镓 (GaN) 功率器件

润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！

■ 技术成熟度高
■ 栅压安全区间大
■ 类MOS，应用简单
■ 易实现市场化

高效率
可靠
服务

详细说明

产品型号	封装形式	Vds(V)	Id(A)	Rds(mΩ)	Vth(V)	Qg(nC)	Qrr(nC)
RX65T125HS2A	DFN 8x8	650	17	120	4	13.2	66
RX65T125PS2A	TO-220	650	20	120	4	16.5	63
RX65T300DS2A	TO-252	650	9	240	1.8	5.5	31
RX65T300DS2H	TO-252	650	9	240	4	6.5	31
RX65T300FS2H	TO-220F	650	7.3	240	4	6	31
RX65T300HS2A	DFN 8x8	650	9	240	1.8	5.5	31
RX65T300HS2H	DFN 8x8	650	9	240	4	6.1	31
RX65T300MS2A	DFN 5x6	650	8	240	1.8	5.3	31
RX65T300MS2H	DFN 5x6	650	7.4	240	4	6.5	31
RX65T300PS2A	TO-220	650	11	240	1.8	5.5	31
RX65T300PS2H	TO-220	650	11	240	4	6	31
RX65T480DS2A	TO-252	650	5	480	1.8	5.5	21
RX65T480DS2H	TO-252	650	5	480	4	6.5	21
RX65T480MS2A	DFN 5x6	650	4.1	480	1.8	5.5	21
RX65T480MS2H	DFN 5x6	650	4.1	480	4	6	21
RX65T1K0MS2L	DFN 5x6	650	23	1000	1.8	5.5	16.6
RX65T1K5MS2L	DFN 5x6	650	1.5	1500	1.8	5.5	15.6
RX70T125FS3H	TO-220F	700	11	125	4	16	46
RX70T125HS3H	DFN 8x8	700	12	125	4	16	45
RX70T125PS3H	TO-220	700	15.8	125	4	16	45
RX70T180HS3H	DFN 8x8	700	10.5	180	4	15	34.5
RX70T180MS3H	DFN 5x6	700	9	180	4	7.6	33
RX70T180PS3H	TO-220	700	13	180	4	15	34.5
RX70T240MA3L	DFN 5x6-8L	700	7	240	1.8	5.3	29
RX70T240BS3H	TO-263	700	10	240	4	6.1	29
RX70T240DS3H	TO-252	700	8.5	240	4	6.1	29
RX70T240FS3H	TO-220F	700	6.6	240	4	6	27
RX70T240FS3L	TO-220F	700	6.6	240	1.8	5.3	27
RX70T240HS3H	DFN 8x8	700	8	240	4	6.1	29
RX70T240PS3H	TO-220	700	10	240	4	6.1	29
RX70T320MA3L	DFN 5x6-8L	700	5	320	1.8	5.8	21.7
RX70T320DS3H	TO-252	700	6	320	4	6.5	22.1
RX70T320DS3L	TO-252	700	6	320	1.8	5.5	22.1
RX70T320HS3L	DFN 8x8	700	5.4	320	1.8	5.8	21.7
RX90T150PS2A	TO-220	900	17	150	4	13.3	57
RX90T270PS2H	TO-220	900	9.4	270	4	15	28
RX90T270PS3H	TO-220	900	7.4	270	4	13.5	29
RX90T540PS2H	TO-220	900	5.4	540	4	15.5	16
RX110T540PS3H	TO-220	1100	5	540	4	13.8	27
RX65T050PS4H	TO-220	650	33	50	4	12	119
RX65T050TL4H	TOLL	650	38	50	4	12	127
RX65T050TT4H	TOLT	650	38	50	4	12	127
RX65T050WS4H	TO-247	650	38	50	4	12	123
RX65T050WT4H	TO-247	650	38	50	4	12.5	121
RX65T070HS4H	DFN 8x8	650	21	70	4	15	84
RX65T070PS4H	TO-220	650	27	70	4	17	87
RX65T070WS4H	TO-247	650	27	70	4	12.5	84

产品可靠性：国内率先通过JEDEC测试（2019年9月）

Test Item	Standard	Conditions	Results
HTRB	JESD22-A108	Tj =150 °C, V_DS = 520 V, 1000 hrs	Pass
HAST	JESD22-A110	130 °C, 85% RH, 33.3 psi, Bias = 42 V, 96 hrs	Pass
TC	JESD22-A104	-55/150 °C, 2 Cycles/hr, 500 Cycles	Pass
HTGB	JESD22-A108	150 °C, V_GS = ±20 V, 1000 hrs	Pass
HTGB	JESD22-A108	150 °C, V_GS = ±30 V, 1000 hrs	Pass
ESD-HBM	JEDEC JS-001	G TO D(+/-) G TO S(+/-) S TO D(+/-) Step:500 V,800 V,1000 V,1500 V,2000 V,3000 V,4000 V	Pass (500 V)
ESD-CDM	JESD22-C101	±30% Voltage Shift at reference point befpre/after zapping CDM 200 V (±), 500 V (±),700 V (±), 1000 V (±), 1500 V (±), 2000 V (±)	Pass (1500 V)
HVOS	N/A	Temp = 150 °C, V_DS = 1050/1100/1150 V	LifeTime >10⁶hrs at 650 V
HTOL	N/A	200/400 V DC/DC Boost Conversion, Tj = 150 °C	LifeTime > 5000 hrs

产品性能：润新微电子的氮化镓功率器件产品具备优异的器件性能，比肩世界先进产品

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市场销售部：刘经理

18823377708